Stampa pagina
SISB46DN-T1-GE3
MOSFET dual-gate, canale N, 40 V, 40 V, 34 A, 34 A, 0.0097 ohm
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSISB46DN-T1-GE3
Codice Prodotto3470680RL
Gamma ProdottiTrenchFET IV Series
Datasheet tecnico
7 406 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 0,504 |
| 500+ | € 0,400 |
| 1000+ | € 0,363 |
| 5000+ | € 0,316 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 1
€ 55,40 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSISB46DN-T1-GE3
Codice Prodotto3470680RL
Gamma ProdottiTrenchFET IV Series
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione drain-source (Vds) canale N40V
Tensione drain-source (Vds) canale P40V
Corrente di drain continua (Id) canale N34A
Corrente di drain continua (Id) canale P34A
Resistenza RdsON canale N0.0097ohm
Resistenza RdsON canale P0.0097ohm
Stile di Case del TransistorPowerPAK 1212
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N23W
Dissipazione di potenza canale P23W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiTrenchFET IV Series
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
40V
Corrente di drain continua (Id) canale P
34A
Resistenza RdsON canale P
0.0097ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
23W
Gamma di prodotti
TrenchFET IV Series
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
40V
Corrente di drain continua (Id) canale N
34A
Resistenza RdsON canale N
0.0097ohm
Stile di Case del Transistor
PowerPAK 1212
Dissipazione di potenza canale N
23W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Alternative per SISB46DN-T1-GE3
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00008
Tracciabilità del prodotto