Stampa pagina
SIS9446DN-T1-GE3
MOSFET dual-gate, doppio canale N, 40 V, 34 A, 9800 µohm
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSIS9446DN-T1-GE3
Codice Prodotto4241532RL
Gamma ProdottiTrenchFET Gen IV Series
Datasheet tecnico
5 205 A Stock
Ti serve altro?
Consegna EXPRESS in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00
Consegna standard GRATUITA
per gli ordini di importo pari e superiore a € 0,00
I tempi di consegna precisi saranno calcolati al momento del pagamento
| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 0,697 |
| 500+ | € 0,508 |
| 1000+ | € 0,470 |
| 5000+ | € 0,410 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 1
€ 74,70 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSIS9446DN-T1-GE3
Codice Prodotto4241532RL
Gamma ProdottiTrenchFET Gen IV Series
Datasheet tecnico
Tipo di canaledoppio canale N
Tensione drain-source (Vds) canale N40V
Tensione drain-source (Vds) canale P-
Corrente di drain continua (Id) canale N34A
Corrente di drain continua (Id) canale P-
Resistenza RdsON canale N9800µohm
Resistenza RdsON canale P-
Stile di Case del TransistorPowerPAK 1212
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N23W
Dissipazione di potenza canale P-
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiTrenchFET Gen IV Series
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
doppio canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
-
Corrente di drain continua (Id) canale P
-
Resistenza RdsON canale P
-
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
-
Gamma di prodotti
TrenchFET Gen IV Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tensione drain-source (Vds) canale N
40V
Corrente di drain continua (Id) canale N
34A
Resistenza RdsON canale N
9800µohm
Stile di Case del Transistor
PowerPAK 1212
Dissipazione di potenza canale N
23W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (1)
Alternative per SIS9446DN-T1-GE3
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Israel
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Israel
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000074
Tracciabilità del prodotto