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SIS590DN-T1-GE3
MOSFET dual-gate, canale N e P, 100 V, 100 V, 4 A, 4 A, 0.197 ohm
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ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSIS590DN-T1-GE3
Codice Prodotto3765824RL
Gamma ProdottiTrenchFET Series
Datasheet tecnico
5 665 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSIS590DN-T1-GE3
Codice Prodotto3765824RL
Gamma ProdottiTrenchFET Series
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N e P
Tensione Drain Source Vds100V
Tensione drain-source (Vds) canale N100V
Corrente Continua di Drain Id4A
Tensione drain-source (Vds) canale P100V
Corrente di drain continua (Id) canale N4A
Corrente di drain continua (Id) canale P4A
Resistenza RdsON canale N0.197ohm
Resistenza RdsON canale P0.197ohm
Stile di Case del TransistorPowerPAK 1212
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N23.1W
Dissipazione di potenza canale P23.1W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiTrenchFET Series
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
N- and P-channel 100V (D-S) MOSFET is typically used in applications such as DC/DC converters, active clamp, brushless DC motors, AC/DC inverter and motor drive switch.
- TrenchFET® power MOSFETs
- Thermally enhanced PowerPAK®
- 100% Rg tested
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N e P
Tensione drain-source (Vds) canale N
100V
Tensione drain-source (Vds) canale P
100V
Corrente di drain continua (Id) canale P
4A
Resistenza RdsON canale P
0.197ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
23.1W
Gamma di prodotti
TrenchFET Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
100V
Corrente Continua di Drain Id
4A
Corrente di drain continua (Id) canale N
4A
Resistenza RdsON canale N
0.197ohm
Stile di Case del Transistor
PowerPAK 1212
Dissipazione di potenza canale N
23.1W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0005
Tracciabilità del prodotto