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SIA975DJ-T1-GE3
MOSFET dual-gate, canale P, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.07 ohm
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSIA975DJ-T1-GE3
Codice Prodotto2335392RL
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione drain-source (Vds) canale N12V
Tensione drain-source (Vds) canale P12V
Corrente di drain continua (Id) canale N4.5A
Corrente di drain continua (Id) canale P4.5A
Resistenza RdsON canale N0.07ohm
Resistenza RdsON canale P0.07ohm
Stile di Case del TransistorPowerPAK SC-70
Numero di pin6Pin
Dissipazione di potenza canale N7.8W
Dissipazione di potenza canale P7.8W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
SiA975DJ-T1-GE3 is a dual P-channel 12V (D-S) MOSFET. The applications include a load switch, PA switch, and battery switch for portable devices and game consoles.
- TrenchFET® power MOSFET, 100 % Rg tested
- New thermally enhanced PowerPAK® SC-70 package, small footprint area, low on-resistance
- Drain-source breakdown voltage is -12V min (VGS = 0V, ID = -250μA, TJ = 25°C)
- Gate-source threshold voltage range from -0.4 to -1V (VDS = VGS, ID = -250μA, TJ = 25°C)
- Continuous drain current is -4.5A (TJ = 150°C, TC = 25°C)
- Pulsed drain current is -15A (TA = 25°C)
- Continuous source-drain diode current is -4.5A max (TC = 25°C)
- Maximum power dissipation is 7.8W (TC = 25°C)
- Input capacitance is 1500pF typ (VDS = -6V, VGS = 0V, f = 1MHz, TC = 25°C)
- PowerPAK SC-70 package, operating junction temperature range from -55 to +150°C
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Tensione drain-source (Vds) canale P
12V
Corrente di drain continua (Id) canale P
4.5A
Resistenza RdsON canale P
0.07ohm
Numero di pin
6Pin
Dissipazione di potenza canale P
7.8W
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
12V
Corrente di drain continua (Id) canale N
4.5A
Resistenza RdsON canale N
0.07ohm
Stile di Case del Transistor
PowerPAK SC-70
Dissipazione di potenza canale N
7.8W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Germany
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Germany
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001
Tracciabilità del prodotto