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SI6913DQ-T1-GE3
MOSFET dual-gate, canale P, 12 V, 12 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.016 ohm
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSI6913DQ-T1-GE3
Codice Prodotto2454810
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione drain-source (Vds) canale N12V
Tensione drain-source (Vds) canale P12V
Corrente di drain continua (Id) canale N4.9A
Corrente di drain continua (Id) canale P4.9A
Resistenza RdsON canale N0.016ohm
Resistenza RdsON canale P0.016ohm
Stile di Case del TransistorTSSOP
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N830mW
Dissipazione di potenza canale P830mW
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Tensione drain-source (Vds) canale P
12V
Corrente di drain continua (Id) canale P
4.9A
Resistenza RdsON canale P
0.016ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
830mW
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione drain-source (Vds) canale N
12V
Corrente di drain continua (Id) canale N
4.9A
Resistenza RdsON canale N
0.016ohm
Stile di Case del Transistor
TSSOP
Dissipazione di potenza canale N
830mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Taiwan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Taiwan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00033
Tracciabilità del prodotto