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SI4816BDY-T1-GE3
MOSFET dual-gate, canale N + Schottky, 30 V, 30 V, 5.8 A, 5.8 A, 0.0155 ohm
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSI4816BDY-T1-GE3
Codice Prodotto2101479
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N + Schottky
Tensione drain-source (Vds) canale N30V
Tensione drain-source (Vds) canale P30V
Corrente di drain continua (Id) canale N5.8A
Corrente di drain continua (Id) canale P5.8A
Resistenza RdsON canale N0.0155ohm
Resistenza RdsON canale P0.0155ohm
Stile di Case del TransistorSOIC
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N1.25W
Dissipazione di potenza canale P1.25W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
SI4816BDY-T1-GE3 è un doppio MOSFET a canale N con diodo Schottky alloggiato in un package a montaggio superficiale.
- Privo di alogeni
- MOSFET di potenza LITTLE FOOT® Plus
- Testato per Rg al 100%
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N + Schottky
Tensione drain-source (Vds) canale P
30V
Corrente di drain continua (Id) canale P
5.8A
Resistenza RdsON canale P
0.0155ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
1.25W
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
30V
Corrente di drain continua (Id) canale N
5.8A
Resistenza RdsON canale N
0.0155ohm
Stile di Case del Transistor
SOIC
Dissipazione di potenza canale N
1.25W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Alternative per SI4816BDY-T1-GE3
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Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000301
Tracciabilità del prodotto