SI1869DH-T1-E3
MOSFET dual-gate, canale N e P complementare, 20 V, 20 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.132 ohm
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| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 0,724 |
| 10+ | € 0,505 |
| 100+ | € 0,343 |
| 500+ | € 0,266 |
| 1000+ | € 0,243 |
| 5000+ | € 0,214 |
Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
The SI1869DH-T1-E3 is a N/P-channel MOSFET ideally suited for high-side load switching in portable applications. The integrated n-channel level-shift device saves space by reducing external components. The slew rate is set externally so that rise-times can be tailored to different load types. The low ON-resistance p-channel TrenchFET is tailored for use as a load switch. The n-channel, with an external resistor, can be used as a level shift to drive the p-channel load-switch. The n-channel MOSFET has internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V.
- TrenchFET® power MOSFET
- Low profile
- Small footprint
- Adjustable slew-rate
Specifiche tecniche
canale N e P complementare
20V
1.2A
0.132ohm
6Pin
1W
-
MSL 1 - Non Limitata
20V
1.2A
0.132ohm
SC-70
1W
150°C
-
No SVHC (23-Jan-2024)
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto