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SI1026X-T1-GE3
MOSFET dual-gate, canale N, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 1.4 ohm
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| Quantità | |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSI1026X-T1-GE3
Codice Prodotto2679671
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione drain-source (Vds) canale N60V
Tensione drain-source (Vds) canale P60V
Corrente di drain continua (Id) canale N305mA
Corrente di drain continua (Id) canale P305mA
Resistenza RdsON canale N1.4ohm
Resistenza RdsON canale P1.4ohm
Stile di Case del TransistorSC-89
Numero di pin6Pin
Dissipazione di potenza canale N250mW
Dissipazione di potenza canale P250mW
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
The SI1026X-T1-GE3 is a 60VDS N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for relays, solenoids, lamps, hammers, displays and memories drivers.
- 2000V Gate-source ESD protected
- Low ON-resistance
- Low threshold
- 15 ns Fast switching speed
- 30pF Low input capacitance
- Low input and output leakage
- Miniature package
- Halogen-free
- Low offset voltage
- Low-voltage operation
- High-speed circuits
- Low error voltage
- Small board area
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
60V
Corrente di drain continua (Id) canale P
305mA
Resistenza RdsON canale P
1.4ohm
Numero di pin
6Pin
Dissipazione di potenza canale P
250mW
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
60V
Corrente di drain continua (Id) canale N
305mA
Resistenza RdsON canale N
1.4ohm
Stile di Case del Transistor
SC-89
Dissipazione di potenza canale N
250mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (3)
Alternative per SI1026X-T1-GE3
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000123
Tracciabilità del prodotto