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BPW85B
Fototransistore, 850 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin, T-1 (3mm)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreBPW85B
Codice Prodotto1612662
Datasheet tecnico
Lunghezza d'Onda Tipica850nm
Angolo di Visualizzazione25°
Consumo di Potenza100mW
Numero di pin2Pin
Stile di Case del TransistorT-1 (3mm)
Gamma di prodotti-
Standard di Qualifica Automotive-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Panoramica del prodotto
- Leaded silicon NPN phototransistor in clear, T-1 plastic package
- High photo sensitivity and high radiant sensitivity
- Suitable for visible and near infrared radiation
- Fast response times
- Angle of half sensitivity: ϕ = ± 25°
- 4mA maximum collector light current at Ee = 1 mW/cm2, λ = 950nm, VCE = 5V
Specifiche tecniche
Lunghezza d'Onda Tipica
850nm
Consumo di Potenza
100mW
Stile di Case del Transistor
T-1 (3mm)
Standard di Qualifica Automotive
-
Angolo di Visualizzazione
25°
Numero di pin
2Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000171
Tracciabilità del prodotto