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SSM6P15FE(TE85L,F)
MOSFET dual-gate, doppio canale P, 30 V, 100 mA
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreTOSHIBA
Cod. produttoreSSM6P15FE(TE85L,F)
Codice Prodotto4415956RL
Datasheet tecnico
Tensione drain-source (Vds) canale N-
Tensione drain-source (Vds) canale P30V
Corrente di drain continua (Id) canale N-
Corrente di drain continua (Id) canale P100mA
Resistenza RdsON canale N-
Resistenza RdsON canale P12ohm
Numero di pin6Pin
Dissipazione di potenza canale N-
Dissipazione di potenza canale P150mW
Temperatura di esercizio max150°C
Specifiche tecniche
Tensione drain-source (Vds) canale N
-
Corrente di drain continua (Id) canale N
-
Resistenza RdsON canale N
-
Numero di pin
6Pin
Dissipazione di potenza canale P
150mW
Tensione drain-source (Vds) canale P
30V
Corrente di drain continua (Id) canale P
100mA
Resistenza RdsON canale P
12ohm
Dissipazione di potenza canale N
-
Temperatura di esercizio max
150°C
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000003
Tracciabilità del prodotto