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SSM6N7002BFE,LM(T
MOSFET dual-gate, doppio canale N, 60 V, 200 mA, 2.1 ohm
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreTOSHIBA
Cod. produttoreSSM6N7002BFE,LM(T
Codice Prodotto4415953RL
Datasheet tecnico
Tensione drain-source (Vds) canale N60V
Tensione drain-source (Vds) canale P-
Corrente di drain continua (Id) canale N200mA
Corrente di drain continua (Id) canale P-
Resistenza RdsON canale N2.1ohm
Resistenza RdsON canale P-
Numero di pin6Pin
Dissipazione di potenza canale N150mW
Dissipazione di potenza canale P-
Temperatura di esercizio max150°C
Specifiche tecniche
Tensione drain-source (Vds) canale N
60V
Corrente di drain continua (Id) canale N
200mA
Resistenza RdsON canale N
2.1ohm
Numero di pin
6Pin
Dissipazione di potenza canale P
-
Tensione drain-source (Vds) canale P
-
Corrente di drain continua (Id) canale P
-
Resistenza RdsON canale P
-
Dissipazione di potenza canale N
150mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:In attesa di conferma
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000003
Tracciabilità del prodotto