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SSM6N24TU,LF(T
MOSFET dual-gate, doppio canale N, 30 V, 500 mA, 0.145 ohm
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreTOSHIBA
Cod. produttoreSSM6N24TU,LF(T
Codice Prodotto4415946RL
Datasheet tecnico
Tensione drain-source (Vds) canale N30V
Tensione drain-source (Vds) canale P-
Corrente di drain continua (Id) canale N500mA
Corrente di drain continua (Id) canale P-
Resistenza RdsON canale N0.145ohm
Resistenza RdsON canale P-
Numero di pin6Pin
Dissipazione di potenza canale N500mW
Dissipazione di potenza canale P-
Temperatura di esercizio max150°C
Specifiche tecniche
Tensione drain-source (Vds) canale N
30V
Corrente di drain continua (Id) canale N
500mA
Resistenza RdsON canale N
0.145ohm
Numero di pin
6Pin
Dissipazione di potenza canale P
-
Tensione drain-source (Vds) canale P
-
Corrente di drain continua (Id) canale P
-
Resistenza RdsON canale P
-
Dissipazione di potenza canale N
500mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000007
Tracciabilità del prodotto