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SSM6L56FE,LM(T
MOSFET dual-gate, canale N e P, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.235 ohm
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreTOSHIBA
Cod. produttoreSSM6L56FE,LM(T
Codice Prodotto4415943RL
Datasheet tecnico
Tensione drain-source (Vds) canale N20V
Tensione drain-source (Vds) canale P20V
Corrente di drain continua (Id) canale N800mA
Corrente di drain continua (Id) canale P800mA
Resistenza RdsON canale N0.235ohm
Resistenza RdsON canale P0.39ohm
Numero di pin6Pin
Dissipazione di potenza canale N250mW
Dissipazione di potenza canale P250mW
Temperatura di esercizio max150°C
Specifiche tecniche
Tensione drain-source (Vds) canale N
20V
Corrente di drain continua (Id) canale N
800mA
Resistenza RdsON canale N
0.235ohm
Numero di pin
6Pin
Dissipazione di potenza canale P
250mW
Tensione drain-source (Vds) canale P
20V
Corrente di drain continua (Id) canale P
800mA
Resistenza RdsON canale P
0.39ohm
Dissipazione di potenza canale N
250mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:In attesa di conferma
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000003
Tracciabilità del prodotto