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CSD85301Q2T
MOSFET dual-gate, canale N, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, 0.023 ohm
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| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 0,706 |
| 500+ | € 0,658 |
| 1000+ | € 0,611 |
| 5000+ | € 0,563 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreTEXAS INSTRUMENTS
Cod. produttoreCSD85301Q2T
Codice Prodotto3009682RL
Tipo di canalecanale N
Tensione drain-source (Vds) canale N20V
Tensione drain-source (Vds) canale P20V
Corrente di drain continua (Id) canale N5A
Corrente di drain continua (Id) canale P5A
Resistenza RdsON canale N0.023ohm
Resistenza RdsON canale P0.023ohm
Stile di Case del TransistorWSON
Numero di pin6Pin
Dissipazione di potenza canale N2.3W
Dissipazione di potenza canale P2.3W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Panoramica del prodotto
The CSD85301Q2T is a NexFET™ dual N-channel Power MOSFET designed to be used in a half bridge configuration for synchronous buck and other power supply applications. Additionally, this part can be used for adaptor, USB input protection and battery charging applications. The dual FETs feature low drain to source ON-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained applications.
- Low ON-resistance
- Optimized for 5V gate driver
- Avalanche rated
- Halogen-free
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
20V
Corrente di drain continua (Id) canale P
5A
Resistenza RdsON canale P
0.023ohm
Numero di pin
6Pin
Dissipazione di potenza canale P
2.3W
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Tensione drain-source (Vds) canale N
20V
Corrente di drain continua (Id) canale N
5A
Resistenza RdsON canale N
0.023ohm
Stile di Case del Transistor
WSON
Dissipazione di potenza canale N
2.3W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00006
Tracciabilità del prodotto