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CSD75204W15
MOSFET dual-gate, canale P, 20 V, 3 A
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreTEXAS INSTRUMENTS
Cod. produttoreCSD75204W15
Codice Prodotto1892453
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione drain-source (Vds) canale N-
Tensione drain-source (Vds) canale P20V
Corrente di drain continua (Id) canale N-
Corrente di drain continua (Id) canale P3A
Resistenza RdsON canale N-
Resistenza RdsON canale P0.08ohm
Stile di Case del TransistorDSBGA
Numero di pin9Pin
Dissipazione di potenza canale N-
Dissipazione di potenza canale P700mW
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Tensione drain-source (Vds) canale P
20V
Corrente di drain continua (Id) canale P
3A
Resistenza RdsON canale P
0.08ohm
Numero di pin
9Pin
Dissipazione di potenza canale P
700mW
Gamma di prodotti
-
Tensione drain-source (Vds) canale N
-
Corrente di drain continua (Id) canale N
-
Resistenza RdsON canale N
-
Stile di Case del Transistor
DSBGA
Dissipazione di potenza canale N
-
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000127
Tracciabilità del prodotto