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ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTU9HN65M2
Codice Prodotto3132767
Gamma ProdottiMDmesh M2
Datasheet tecnico
Fuori produzione
Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTU9HN65M2
Codice Prodotto3132767
Gamma ProdottiMDmesh M2
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds650V
Corrente Continua di Drain Id5.5A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.71ohm
Stile di Case del TransistorTO-251
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza60W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiMDmesh M2
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
5.5A
Stile di Case del Transistor
TO-251
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
60W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
650V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.71ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
MDmesh M2
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00035
Tracciabilità del prodotto