Stampa pagina
STL8DN6LF6AG
MOSFET dual-gate, canale N, 60 V, 60 V, 32 A, 32 A, 0.021 ohm
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTL8DN6LF6AG
Codice Prodotto3367090
Gamma ProdottiSTripFET F6 Series
Datasheet tecnico
5 339 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 0,810 |
| 10+ | € 0,698 |
| 100+ | € 0,638 |
| 500+ | € 0,523 |
| 1000+ | € 0,510 |
| 5000+ | € 0,497 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 1
Più: 1
€ 0,81 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTL8DN6LF6AG
Codice Prodotto3367090
Gamma ProdottiSTripFET F6 Series
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione drain-source (Vds) canale N60V
Tensione drain-source (Vds) canale P60V
Corrente di drain continua (Id) canale N32A
Corrente di drain continua (Id) canale P32A
Resistenza RdsON canale N0.021ohm
Resistenza RdsON canale P0.021ohm
Stile di Case del TransistorPowerFLAT
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N55W
Dissipazione di potenza canale P55W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiSTripFET F6 Series
QualificazioniAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
60V
Corrente di drain continua (Id) canale P
32A
Resistenza RdsON canale P
0.021ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
55W
Gamma di prodotti
STripFET F6 Series
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
60V
Corrente di drain continua (Id) canale N
32A
Resistenza RdsON canale N
0.021ohm
Stile di Case del Transistor
PowerFLAT
Dissipazione di potenza canale N
55W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000076
Tracciabilità del prodotto