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STH275N8F7-6AG
MOSFET di potenza, canale N, 80 V, 180 A, 0.0017 ohm, H2PAK-6, montaggio superficiale (SMT)
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ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTH275N8F7-6AG
Codice Prodotto3132746RL
Gamma ProdottiSTripFET F7
Datasheet tecnico
Disponibile per l'ordine
Tempo di approvvigionamento standard del produttore: 19 settimana/e
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| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 2,710 |
| 500+ | € 2,460 |
| 1000+ | € 2,410 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 1
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTH275N8F7-6AG
Codice Prodotto3132746RL
Gamma ProdottiSTripFET F7
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds80V
Corrente Continua di Drain Id180A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0017ohm
Stile di Case del TransistorH2PAK-6
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4.5V
Dissipazione di potenza315W
Numero di pin7Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiSTripFET F7
QualificazioniAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
STH275N8F7-6AG is an automotive-grade N-channel STripFET™ F7 Power MOSFET. This N-channel power MOSFET utilize STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low onstate resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching. Typically used for switching applications.
- AEC-Q101 qualified
- Among the lowest RDS(on) on the market
- Excellent FoM (figure of merit)
- Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
- High avalanche ruggedness
- 80V drain-source breakdown voltage
- 2.1mohm static drain-source on-resistance max
- 180A drain current (continuous) at TC = 25 °C
- Operating junction temperature range -55 to 175°C
- H²PAK-6 package
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
180A
Stile di Case del Transistor
H2PAK-6
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
315W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
80V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0017ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4.5V
Numero di pin
7Pin
Gamma di prodotti
STripFET F7
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00035
Tracciabilità del prodotto