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Tensione Drain Source Vds
Corrente Continua di Drain Id
Resistenza Drain-Source in conduzione
Stile di Case del Transistor
Montaggio Transistore
Tensione di test di Rds(on)
Tensione di soglia Gate-Source massima
Dissipazione di potenza
Numero di pin
Temperatura di esercizio max
Gamma di prodotti
Qualificazioni
Imballaggio
Filtro/i applicato/i
1 Filtro/i selezionato/i
ConfrontaPrezzo perQuantità
STH310N10F7-6
STMICROELECTRONICS STH310N10F7-6
2629748

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

STMICROELECTRONICS
  1. MOSFET di potenza
  2. canale N
  3. 100 V
  4. 180 A
  5. 0.0019 ohm
  6. H2PAK-6
  7. montaggio superficiale (SMT)
Unità, fornito su nastro tagliato
Nastro pretagliato
1+
€ 5,570
10+
€ 4,170
100+
€ 3,040
500+
€ 2,760
1000+
€ 2,480
Min: 1 / Mult: 1
canale N
100V
180A
0.0019ohm
H2PAK-6
montaggio superficiale (SMT)
10V
3.5V
315W
7Pin
175°C
STripFET
-
STH410N4F7-6AG
STMICROELECTRONICS STH410N4F7-6AG
2532277

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

STMICROELECTRONICS
  1. MOSFET di potenza
  2. canale N
  3. 40 V
  4. 200 A
  5. 800 µohm
  6. H2PAK-6
  7. montaggio superficiale (SMT)
Unità, fornito su nastro tagliato
Nastro pretagliato
1000+
€ 2,510
Min: 1000 / Mult: 1000
canale N
40V
200A
800µohm
H2PAK-6
montaggio superficiale (SMT)
10V
4.5V
365W
7Pin
175°C
-
AEC-Q101
STH410N4F7-6AG
STMICROELECTRONICS STH410N4F7-6AG
2532277RL

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

STMICROELECTRONICS
  1. MOSFET di potenza
  2. canale N
  3. 40 V
  4. 200 A
  5. 800 µohm
  6. H2PAK-6
  7. montaggio superficiale (SMT)
Unità, fornito su nastro tagliato
Re-reeling
Opzioni di imballaggio
1000+
€ 2,510
Min: 1000 / Mult: 1000
canale N
40V
200A
800µohm
H2PAK-6
montaggio superficiale (SMT)
10V
4.5V
365W
7Pin
175°C
-
AEC-Q101
STH310N10F7-6
STMICROELECTRONICS STH310N10F7-6
2629748RL

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

STMICROELECTRONICS
  1. MOSFET di potenza
  2. canale N
  3. 100 V
  4. 180 A
  5. 0.0019 ohm
  6. H2PAK-6
  7. montaggio superficiale (SMT)
Unità, fornito su nastro tagliato
Re-reeling
Opzioni di imballaggio
10+
€ 4,170
100+
€ 3,040
500+
€ 2,760
1000+
€ 2,480
Min: 10 / Mult: 1
canale N
100V
180A
0.0019ohm
H2PAK-6
montaggio superficiale (SMT)
10V
3.5V
315W
7Pin
175°C
STripFET
-
STH275N8F7-6AG
STMICROELECTRONICS STH275N8F7-6AG
3132746

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

STMICROELECTRONICS
  1. MOSFET di potenza
  2. canale N
  3. 80 V
  4. 180 A
  5. 0.0017 ohm
  6. H2PAK-6
  7. montaggio superficiale (SMT)
Unità, fornito su nastro tagliato
Nastro pretagliato
1+
€ 5,160
10+
€ 3,630
100+
€ 2,710
500+
€ 2,460
1000+
€ 2,410
Min: 1 / Mult: 1
canale N
80V
180A
0.0017ohm
H2PAK-6
montaggio superficiale (SMT)
10V
4.5V
315W
7Pin
175°C
STripFET F7
AEC-Q101
STH275N8F7-6AG
STMICROELECTRONICS STH275N8F7-6AG
3132746RL

Data Sheet

RoHS

Date/Lot Code

STMICROELECTRONICS
  1. MOSFET di potenza
  2. canale N
  3. 80 V
  4. 180 A
  5. 0.0017 ohm
  6. H2PAK-6
  7. montaggio superficiale (SMT)
Unità, fornito su nastro tagliato
Re-reeling
Opzioni di imballaggio
100+
€ 2,710
500+
€ 2,460
1000+
€ 2,410
Min: 100 / Mult: 1
canale N
80V
180A
0.0017ohm
H2PAK-6
montaggio superficiale (SMT)
10V
4.5V
315W
7Pin
175°C
STripFET F7
AEC-Q101
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