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Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTGSH80HB65DAG
Codice Prodotto4294108
Datasheet tecnico
Configurazione Transistore IGBTmezzo ponte
Corrente di Collettore continua83A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore1.7V
Dissipazione di potenza250W
Temperatura di esercizio max175°C
Stile di Case del TransistorACEPACK SMIT
Terminazione IGBTa saldare
Massima tensione Collettore-Emettitore650V
Tecnologia Transistore IGBT-
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Configurazione Transistore IGBT
mezzo ponte
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
1.7V
Temperatura di esercizio max
175°C
Terminazione IGBT
a saldare
Tecnologia Transistore IGBT
-
Gamma di prodotti
-
Corrente di Collettore continua
83A
Dissipazione di potenza
250W
Stile di Case del Transistor
ACEPACK SMIT
Massima tensione Collettore-Emettitore
650V
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0082