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STD1NK60T4

Name: STMICROELECTRONICS STD1NK60T4
Brand: STMICROELECTRONICS
SKU: 1752022
Availability: InStock

MOSFET di potenza, canale N, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, TO-252 (DPAK), montaggio superficiale (SMT)

Date/Lot Code

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ProduttoreSTMICROELECTRONICS

Cod. produttoreSTD1NK60T4

Codice Prodotto1752022

Datasheet tecnico

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Informazioni sui prodotti

ProduttoreSTMICROELECTRONICS

Cod. produttoreSTD1NK60T4

Codice Prodotto1752022

Datasheet tecnico

Data Sheet

Tipo di canalecanale N

Tensione Drain Source Vds600V

Corrente Continua di Drain Id500mA

Resistenza Drain-Source in conduzione8.5ohm

Stile di Case del TransistorTO-252 (DPAK)

Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)

Tensione di test di Rds(on)10V

Tensione di soglia Gate-Source massima3V

Dissipazione di potenza30W

Numero di pin3Pin

Temperatura di esercizio max150°C

Gamma di prodotti-

Qualificazioni-

Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)

Panoramica del prodotto

The STD1NK60T4 is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET features minimized gate charge. The SuperMESH™ is obtained through an extreme optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications. This MOSFET complements ST full range of high voltage Power MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products.

Extremely high dV/dt capability
Improved ESD capability
100% Avalanche tested
New high voltage benchmark

Avvertenze

Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.

Specifiche tecniche

Tipo di canale

canale N

Corrente Continua di Drain Id

500mA

Stile di Case del Transistor

TO-252 (DPAK)

Tensione di test di Rds(on)

10V

Dissipazione di potenza

30W

Temperatura di esercizio max

150°C

Qualificazioni

Tensione Drain Source Vds

600V

Resistenza Drain-Source in conduzione

8.5ohm

Montaggio Transistore

montaggio superficiale (SMT)

Tensione di soglia Gate-Source massima

Numero di pin

3Pin

Gamma di prodotti

Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)

No SVHC (21-Jan-2025)

Documenti tecnici (2)

Technical Data Sheet EN

Product Change Notice EN

Alternative per STD1NK60T4

1 prodotto trovato

Legislazione e ambiente

Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo

Tariffa n.:85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

Conforme alla direttiva RoHS:Sì

RoHS

Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì

RoHS

Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)

Scarica il certificato di conformità del prodotto

Certificato di conformità del prodotto

Peso (kg):.000476

Tracciabilità del prodotto