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SCTL90N65G2V
MOSFET al carburo di silicio, configurazione singola, canale N, 40 A, 650 V, 0.018 ohm, PowerFLAT
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSCTL90N65G2V
Codice Prodotto3748721RL
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Polarità Transistorcanale N
Corrente Continua di Drain Id40A
Tensione Drain Source Vds650V
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.018ohm
Resistenza Drain-Source in conduzione0.018ohm
Stile di Case del TransistorPowerFLAT
Numero di pin5Pin
Tensione di test di Rds(on)18V
Tensione di soglia Gate-Source massima3.2V
Dissipazione di Potenza Pd935W
Dissipazione di potenza935W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 3 - 168 ore
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
SCTL90N65G2V è un MOSFET di potenza al carburo di silicio. Questo dispositivo di potenza è stato sviluppato usando la tecnologia dei MOSFET SiC di seconda generazione avanzata e innovativa di ST. È caratterizzato da una resistenza di conduzione notevolmente bassa per area unitaria e prestazioni di commutazione molto buone. La variazione della perdita di commutazione è quasi indipendente dalla temperatura di giunzione. Le applicazioni tipiche sono gli alimentatori a commutazione, convertitori DC-DC e il controllo dei motori industriali.
- Diodo di body robusto e molto rapido, basse capacità
- Pin di rilevamento di sorgente per maggiore efficienza
- Tensione di rottura drain-source: 650V minima a VGS=0V, ID= 1mA
- Resistenza di conduzione drain-source statica: 24mohm max a VGS = 18V, ID = 40A
- Corrente di drain (continua) a TC = 25°C: 40A
- Capacità di ingresso: 3380pF tipica a VDS = 400V, f = 1MHz, VGS = 0V
- Tempo di salita: 38ns tip. a VDD = 400V, ID = 50A, RG = 2,2ohm, VGS = da -5V a 18V
- Package PowerFLAT 8x8 HV
- Temperatura di giunzione di esercizio: -55-175°C
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Polarità Transistor
canale N
Tensione Drain Source Vds
650V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.018ohm
Numero di pin
5Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
3.2V
Dissipazione di potenza
935W
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
40A
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.018ohm
Stile di Case del Transistor
PowerFLAT
Tensione di test di Rds(on)
18V
Dissipazione di Potenza Pd
935W
Temperatura di esercizio max
175°C
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 3 - 168 ore
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00018
Tracciabilità del prodotto