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SCTL90N65G2V
MOSFET al carburo di silicio, configurazione singola, canale N, 40 A, 650 V, 0.018 ohm, PowerFLAT
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSCTL90N65G2V
Codice Prodotto3748721
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id40A
Tensione Drain Source Vds650V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.018ohm
Stile di Case del TransistorPowerFLAT
Numero di pin5Pin
Tensione di test di Rds(on)18V
Tensione di soglia Gate-Source massima3.2V
Dissipazione di potenza935W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 3 - 168 ore
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
SCTL90N65G2V è un MOSFET di potenza al carburo di silicio. Questo dispositivo di potenza è stato sviluppato usando la tecnologia dei MOSFET SiC di seconda generazione avanzata e innovativa di ST. È caratterizzato da una resistenza di conduzione notevolmente bassa per area unitaria e prestazioni di commutazione molto buone. La variazione della perdita di commutazione è quasi indipendente dalla temperatura di giunzione. Le applicazioni tipiche sono gli alimentatori a commutazione, convertitori DC-DC e il controllo dei motori industriali.
- Diodo di body robusto e molto rapido, basse capacità
- Pin di rilevamento di sorgente per maggiore efficienza
- Tensione di rottura drain-source: 650V minima a VGS=0V, ID= 1mA
- Resistenza di conduzione drain-source statica: 24mohm max a VGS = 18V, ID = 40A
- Corrente di drain (continua) a TC = 25°C: 40A
- Capacità di ingresso: 3380pF tipica a VDS = 400V, f = 1MHz, VGS = 0V
- Tempo di salita: 38ns tip. a VDD = 400V, ID = 50A, RG = 2,2ohm, VGS = da -5V a 18V
- Package PowerFLAT 8x8 HV
- Temperatura di giunzione di esercizio: -55-175°C
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
40A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.018ohm
Numero di pin
5Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
3.2V
Temperatura di esercizio max
175°C
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 3 - 168 ore
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
650V
Stile di Case del Transistor
PowerFLAT
Tensione di test di Rds(on)
18V
Dissipazione di potenza
935W
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00018
Tracciabilità del prodotto