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ADP480120W3-L
MOSFET al carburo di silicio, SixPack, canale N, 488 A, 1.2 kV, 0.0026 ohm, ACEPACK DRIVE
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreADP480120W3-L
Codice Prodotto4558118
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETSixPack
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id488A
Tensione Drain Source Vds1.2kV
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0026ohm
Stile di Case del TransistorACEPACK DRIVE
Numero di pin30Pin
Tensione di test di Rds(on)18V
Tensione di soglia Gate-Source massima4.4V
Dissipazione di potenza869W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
SixPack
Corrente Continua di Drain Id
488A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0026ohm
Numero di pin
30Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
4.4V
Temperatura di esercizio max
175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
1.2kV
Stile di Case del Transistor
ACEPACK DRIVE
Tensione di test di Rds(on)
18V
Dissipazione di potenza
869W
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):730
Tracciabilità del prodotto