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Moduli e MOSFET al Carburo di Silicio (SiC):
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Acquirente
Progettista
Produttore
Configurazione modulo MOSFET
Tipo di canale
Corrente Continua di Drain Id
Tensione Drain Source Vds
Resistenza Drain-Source in conduzione
Stile di Case del Transistor
Numero di pin
Tensione di test di Rds(on)
Tensione di soglia Gate-Source massima
Dissipazione di potenza
Temperatura di esercizio max
Imballaggio
Filtro/i applicato/i
1 Filtro/i selezionato/i
| Confronta | Prezzo per | Quantità | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Unità | 1+ € 964,890 | Min: 1 / Mult: 1 | mezzo ponte | doppio canale N | 450A | 1.2kV | 0.0026ohm | modulo | - | 15V | 2.5V | - | 175°C | |||||
Unità | 1+ € 1 276,000 | Min: 1 / Mult: 1 | SixPack | canale N | 488A | 1.2kV | 0.0026ohm | ACEPACK DRIVE | 30Pin | 18V | 4.4V | 869W | 175°C | |||||
Unità | 1+ € 1 372,000 | Min: 1 / Mult: 1 | SixPack | canale N | 488A | 1.2kV | 0.0026ohm | ACEPACK DRIVE | 30Pin | 18V | 4.4V | 869W | 175°C | |||||
