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MD40HFC120C2S
MOSFET al carburo di silicio, configurazione singola, canale N, 526 A, 1.2 kV, 0.0052 ohm, modulo
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTARPOWER
Cod. produttoreMD40HFC120C2S
Codice Prodotto4543878
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id526A
Tensione Drain Source Vds1.2kV
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0052ohm
Stile di Case del Transistormodulo
Numero di pin11Pin
Tensione di test di Rds(on)15V
Tensione di soglia Gate-Source massima3.6V
Dissipazione di potenza2.142kW
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
526A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0052ohm
Numero di pin
11Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
3.6V
Temperatura di esercizio max
150°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
1.2kV
Stile di Case del Transistor
modulo
Tensione di test di Rds(on)
15V
Dissipazione di potenza
2.142kW
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.46266