Moduli e MOSFET al Carburo di Silicio (SiC):
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Acquirente
Progettista
Produttore
Configurazione modulo MOSFET
Tipo di canale
Corrente Continua di Drain Id
Tensione Drain Source Vds
Resistenza Drain-Source in conduzione
Stile di Case del Transistor
Numero di pin
Tensione di test di Rds(on)
Tensione di soglia Gate-Source massima
Dissipazione di potenza
Temperatura di esercizio max
Gamma di prodotti
Imballaggio
Filtro/i applicato/i
1 Filtro/i selezionato/i
Confronta | Prezzo per | Quantità | |||||||||||||||||
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Unità | 1+ € 327,340 5+ € 320,790 | Min: 1 / Mult: 1 | mezzo ponte | doppio canale N | 145A | 2kV | 0.0052ohm | modulo | 7Pin | 18V | 5.15V | - | 175°C | 62 mm C Series | |||||
Unità | 1+ € 1 023,000 | Min: 1 / Mult: 1 | configurazione singola | canale N | 526A | 1.2kV | 0.0052ohm | modulo | 11Pin | 15V | 3.6V | 2.142kW | 150°C | - |