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S34ML08G101BHI000
Memoria Flash, NAND, SLC NAND, 8 Gbit, 1G x 8 bit, parallela, BGA, 63 Pin
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ProduttoreSKYHIGH MEMORY LIMITED
Cod. produttoreS34ML08G101BHI000
Codice Prodotto2340567
Gamma Prodotti3V Parallel NAND Flash Memories
Datasheet tecnico
32 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreSKYHIGH MEMORY LIMITED
Cod. produttoreS34ML08G101BHI000
Codice Prodotto2340567
Gamma Prodotti3V Parallel NAND Flash Memories
Datasheet tecnico
Tipo di Memoria FlashSLC NAND
Densità di Memoria8Gbit
Configurazione di memoria1G x 8 bit
Interfacceparallela
Package/case del circuito integratoBGA
Numero di pin63Pin
Frequenza di Clock Max-
Tempo di Accesso25ns
Tensione di alimentazione min2.7V
Tensione di alimentazione max3.6V
Tensione di Alimentazione Nom-
Montaggio CImontaggio superficiale
Temperatura di esercizio min-40°C
Temperatura di esercizio max85°C
Gamma di prodotti3V Parallel NAND Flash Memories
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 3 - 168 ore
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Panoramica del prodotto
The S34ML08G101BHI000 is a 8GB NAND Flash Memory for embedded and it is offered in 3.3VCC with x8 I/O interface. The NAND has open NAND flash interface (ONFI) 1.0 compliant and also features address, data and commands multiplexed. It offers reliability of typical 100000 program/erase cycles, typical 10 years of data retention, blocks zero and one are valid and will be valid for at least 1000 program-erase cycles with ECC.
- Architecture - Input/output bus width of 8-bit
- Device size - 2 planes per device or 512MB
- Security - One time programmable area
- Hardware program/erase disabled during power transition
- Supports Multiplane Program and Erase commands
- Supports copy back program
- Supports multiplane copy back program
- Supports read cache
- Electronic signature - Manufacturer ID of 01h
- Standard interface/ONFI (x8)
Specifiche tecniche
Tipo di Memoria Flash
SLC NAND
Configurazione di memoria
1G x 8 bit
Package/case del circuito integrato
BGA
Frequenza di Clock Max
-
Tensione di alimentazione min
2.7V
Tensione di Alimentazione Nom
-
Temperatura di esercizio min
-40°C
Gamma di prodotti
3V Parallel NAND Flash Memories
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Densità di Memoria
8Gbit
Interfacce
parallela
Numero di pin
63Pin
Tempo di Accesso
25ns
Tensione di alimentazione max
3.6V
Montaggio CI
montaggio superficiale
Temperatura di esercizio max
85°C
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 3 - 168 ore
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85423269
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.004237