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SH8MB5TB1
MOSFET dual-gate, canale N e P, 40 V, 40 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.0149 ohm
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreROHM
Cod. produttoreSH8MB5TB1
Codice Prodotto3702539
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N e P
Tensione drain-source (Vds) canale N40V
Tensione drain-source (Vds) canale P40V
Corrente di drain continua (Id) canale N8.5A
Corrente di drain continua (Id) canale P8.5A
Resistenza RdsON canale N0.0149ohm
Resistenza RdsON canale P0.0149ohm
Stile di Case del TransistorSOP
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N2W
Dissipazione di potenza canale P2W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N e P
Tensione drain-source (Vds) canale P
40V
Corrente di drain continua (Id) canale P
8.5A
Resistenza RdsON canale P
0.0149ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
2W
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Tensione drain-source (Vds) canale N
40V
Corrente di drain continua (Id) canale N
8.5A
Resistenza RdsON canale N
0.0149ohm
Stile di Case del Transistor
SOP
Dissipazione di potenza canale N
2W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.005577