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SH8MB4TB1
MOSFET dual-gate, canale N e P, 40 V, 40 V, 4.5 A, 5.5 A, 0.055 ohm
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreROHM
Cod. produttoreSH8MB4TB1
Codice Prodotto4410719RL
Datasheet tecnico
Tensione drain-source (Vds) canale N40V
Tensione drain-source (Vds) canale P40V
Corrente di drain continua (Id) canale N4.5A
Corrente di drain continua (Id) canale P5.5A
Resistenza RdsON canale N0.055ohm
Resistenza RdsON canale P0.046ohm
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N2W
Dissipazione di potenza canale P2W
Temperatura di esercizio max150°C
Specifiche tecniche
Tensione drain-source (Vds) canale N
40V
Corrente di drain continua (Id) canale N
4.5A
Resistenza RdsON canale N
0.055ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
2W
Tensione drain-source (Vds) canale P
40V
Corrente di drain continua (Id) canale P
5.5A
Resistenza RdsON canale P
0.046ohm
Dissipazione di potenza canale N
2W
Temperatura di esercizio max
150°C
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00001
Tracciabilità del prodotto