Stampa pagina
SH8KB5TB1
MOSFET dual-gate, doppio canale N, 40 V, 4.5 A, 0.055 ohm
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
100 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 0,493 |
| 500+ | € 0,410 |
| 1000+ | € 0,355 |
| 5000+ | € 0,309 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 1
€ 54,30 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
Specifiche tecniche
Tensione drain-source (Vds) canale N
40V
Resistenza RdsON canale N
0.055ohm
Dissipazione di potenza canale N
2W
Corrente di drain continua (Id) canale N
4.5A
Numero di pin
8Pin
Temperatura di esercizio max
150°C
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00001
Tracciabilità del prodotto