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SCT3160KWAHRTL
MOSFET al carburo di silicio, AEC-Q101, configurazione singola, canale N, 17 A, 1.2 kV, 0.208 ohm
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreROHM
Cod. produttoreSCT3160KWAHRTL
Codice Prodotto4410746RL
Datasheet tecnico
Corrente Continua di Drain Id17A
Tensione Drain Source Vds1.2kV
Resistenza Drain-Source in conduzione0.208ohm
Numero di pin7Pin
Tensione di test di Rds(on)18V
Tensione di soglia Gate-Source massima5.6V
Dissipazione di potenza100W
Temperatura di esercizio max175°C
Specifiche tecniche
Corrente Continua di Drain Id
17A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.208ohm
Tensione di test di Rds(on)
18V
Dissipazione di potenza
100W
Tensione Drain Source Vds
1.2kV
Numero di pin
7Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
5.6V
Temperatura di esercizio max
175°C
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000013
Tracciabilità del prodotto