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Moduli e MOSFET al Carburo di Silicio (SiC):
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Acquirente
Progettista
Produttore
Configurazione modulo MOSFET
Tipo di canale
Corrente Continua di Drain Id
Tensione Drain Source Vds
Resistenza Drain-Source in conduzione
Stile di Case del Transistor
Numero di pin
Tensione di test di Rds(on)
Tensione di soglia Gate-Source massima
Dissipazione di potenza
Temperatura di esercizio max
Imballaggio
Filtro/i applicato/i
1 Filtro/i selezionato/i
| Confronta | Prezzo per | Quantità | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Unità, fornito su nastro tagliato Nastro pretagliato | 1+ € 7,620 5+ € 7,080 10+ € 6,530 50+ € 5,990 100+ € 5,440 Altri prezzi... | Min: 1 / Mult: 1 | configurazione singola | canale N | 17A | 1.2kV | 0.208ohm | TO-263 | 7Pin | 18V | 5.6V | 100W | 175°C | |||||
Unità, fornito su nastro tagliato Nastro pretagliato | 1+ € 7,470 5+ € 6,910 10+ € 6,340 50+ € 5,810 100+ € 5,280 Altri prezzi... | Min: 1 / Mult: 1 | configurazione singola | canale N | 17A | 1.2kV | 0.208ohm | TO-263 | 7Pin | 18V | 5.6V | 100W | 175°C | |||||
Unità, fornito su nastro tagliato Nastro pretagliato | 10+ € 6,340 50+ € 5,810 100+ € 5,280 250+ € 5,170 | Min: 10 / Mult: 1 | - | - | 17A | 1.2kV | 0.208ohm | - | 7Pin | 18V | 5.6V | 100W | 175°C | |||||
Unità, fornito su nastro tagliato Nastro pretagliato | 10+ € 6,530 50+ € 5,990 100+ € 5,440 250+ € 5,330 | Min: 10 / Mult: 1 | - | - | 17A | 1.2kV | 0.208ohm | - | 7Pin | 18V | 5.6V | 100W | 175°C | |||||
