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QS6M3TR
MOSFET dual-gate, canale N e P complementare, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.17 ohm
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreROHM
Cod. produttoreQS6M3TR
Codice Prodotto1525473RL
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale N20V
Tensione drain-source (Vds) canale P20V
Corrente di drain continua (Id) canale N1.5A
Corrente di drain continua (Id) canale P1.5A
Resistenza RdsON canale N0.17ohm
Resistenza RdsON canale P0.17ohm
Stile di Case del TransistorTSMT
Numero di pin6Pin
Dissipazione di potenza canale N900mW
Dissipazione di potenza canale P1.25W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Panoramica del prodotto
The QS6M3TR is a N/P-channel MOSFET designed as low ON-resistance device by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. This device is suitable for use with coin processing machines, handy type digital multi-meter, PLC (programmable logic controller) AC servo, network attached storage and DVR/DVS applications.
- 2.5V Drive
- Fast switching speed
- Small surface-mount package
- Low ON-resistance
- Built-in G-S protection diode
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale P
20V
Corrente di drain continua (Id) canale P
1.5A
Resistenza RdsON canale P
0.17ohm
Numero di pin
6Pin
Dissipazione di potenza canale P
1.25W
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Tensione drain-source (Vds) canale N
20V
Corrente di drain continua (Id) canale N
1.5A
Resistenza RdsON canale N
0.17ohm
Stile di Case del Transistor
TSMT
Dissipazione di potenza canale N
900mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000014