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QH8JE5TCR
MOSFET dual-gate, doppio canale P, 100 V, 2 A
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreROHM
Cod. produttoreQH8JE5TCR
Codice Prodotto4410721
Datasheet tecnico
Tipo di canaledoppio canale P
Tensione drain-source (Vds) canale N-
Tensione drain-source (Vds) canale P100V
Corrente di drain continua (Id) canale N-
Corrente di drain continua (Id) canale P2A
Resistenza RdsON canale N-
Resistenza RdsON canale P0.27ohm
Stile di Case del TransistorTSMT
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N-
Dissipazione di potenza canale P1.5W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)To Be Advised
Specifiche tecniche
Tipo di canale
doppio canale P
Tensione drain-source (Vds) canale P
100V
Corrente di drain continua (Id) canale P
2A
Resistenza RdsON canale P
0.27ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
1.5W
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
To Be Advised
Tensione drain-source (Vds) canale N
-
Corrente di drain continua (Id) canale N
-
Resistenza RdsON canale N
-
Stile di Case del Transistor
TSMT
Dissipazione di potenza canale N
-
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)To Be Advised
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000013
Tracciabilità del prodotto