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HT8MC5TB1
MOSFET dual-gate, canale N e P, 60 V, 60 V, 10 A, 11.5 A, 0.09 ohm
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreROHM
Cod. produttoreHT8MC5TB1
Codice Prodotto4706927
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N e P
Tensione drain-source (Vds) canale N60V
Tensione drain-source (Vds) canale P60V
Corrente di drain continua (Id) canale N10A
Corrente di drain continua (Id) canale P11.5A
Resistenza RdsON canale N0.09ohm
Resistenza RdsON canale P0.097ohm
Stile di Case del TransistorHSMT
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N13W
Dissipazione di potenza canale P13W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N e P
Tensione drain-source (Vds) canale P
60V
Corrente di drain continua (Id) canale P
11.5A
Resistenza RdsON canale P
0.097ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
13W
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione drain-source (Vds) canale N
60V
Corrente di drain continua (Id) canale N
10A
Resistenza RdsON canale N
0.09ohm
Stile di Case del Transistor
HSMT
Dissipazione di potenza canale N
13W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000006
Tracciabilità del prodotto