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HP8MB5TB1
MOSFET dual-gate, canale N e P complementare, 40 V, 40 V, 16.5 A, 18 A, 0.046 ohm
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreROHM
Cod. produttoreHP8MB5TB1
Codice Prodotto4263608RL
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale N40V
Tensione drain-source (Vds) canale P40V
Corrente di drain continua (Id) canale N16.5A
Corrente di drain continua (Id) canale P18A
Resistenza RdsON canale N0.046ohm
Resistenza RdsON canale P0.044ohm
Stile di Case del TransistorHSOP
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N20W
Dissipazione di potenza canale P20W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)To Be Advised
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale P
40V
Corrente di drain continua (Id) canale P
18A
Resistenza RdsON canale P
0.044ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
20W
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
To Be Advised
Tensione drain-source (Vds) canale N
40V
Corrente di drain continua (Id) canale N
16.5A
Resistenza RdsON canale N
0.046ohm
Stile di Case del Transistor
HSOP
Dissipazione di potenza canale N
20W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)To Be Advised
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00009
Tracciabilità del prodotto