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HP8JE5TB1
MOSFET dual-gate, doppio canale P, 100 V, 12.5 A
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreROHM
Cod. produttoreHP8JE5TB1
Codice Prodotto4308139
Datasheet tecnico
Tipo di canaledoppio canale P
Tensione drain-source (Vds) canale N-
Tensione drain-source (Vds) canale P100V
Corrente di drain continua (Id) canale N-
Corrente di drain continua (Id) canale P12.5A
Resistenza RdsON canale N-
Resistenza RdsON canale P0.127ohm
Stile di Case del TransistorHSOP
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N-
Dissipazione di potenza canale P21W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)To Be Advised
Specifiche tecniche
Tipo di canale
doppio canale P
Tensione drain-source (Vds) canale P
100V
Corrente di drain continua (Id) canale P
12.5A
Resistenza RdsON canale P
0.127ohm
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
21W
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
To Be Advised
Tensione drain-source (Vds) canale N
-
Corrente di drain continua (Id) canale N
-
Resistenza RdsON canale N
-
Stile di Case del Transistor
HSOP
Dissipazione di potenza canale N
-
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)To Be Advised
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00009
Tracciabilità del prodotto