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RJF0610JSP-00#J0
MOSFET dual-gate, doppio canale N, 60 V, 1.5 A, 0.214 ohm
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| Quantità | |
|---|---|
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreRENESAS
Cod. produttoreRJF0610JSP-00#J0
Codice Prodotto4307271RL
Datasheet tecnico
Tipo di canaledoppio canale N
Tensione drain-source (Vds) canale N60V
Tensione drain-source (Vds) canale P-
Corrente di drain continua (Id) canale N1.5A
Corrente di drain continua (Id) canale P-
Resistenza RdsON canale N0.214ohm
Resistenza RdsON canale P-
Stile di Case del TransistorSOP
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N3W
Dissipazione di potenza canale P-
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
doppio canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
-
Corrente di drain continua (Id) canale P
-
Resistenza RdsON canale P
-
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
-
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione drain-source (Vds) canale N
60V
Corrente di drain continua (Id) canale N
1.5A
Resistenza RdsON canale N
0.214ohm
Stile di Case del Transistor
SOP
Dissipazione di potenza canale N
3W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000074
Tracciabilità del prodotto