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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNXH020U90MNF2PTG
Codice Prodotto4079793
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETModulo Half-Bridge
Tipo di canaledoppio canale N
Corrente Continua di Drain Id149A
Tensione Drain Source Vds900V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.01003ohm
Stile di Case del Transistormodulo
Numero di pin20Pin
Tensione di test di Rds(on)15V
Tensione di soglia Gate-Source massima4.3V
Dissipazione di potenza352W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
Modulo Half-Bridge
Corrente Continua di Drain Id
149A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.01003ohm
Numero di pin
20Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
4.3V
Temperatura di esercizio max
175°C
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tipo di canale
doppio canale N
Tensione Drain Source Vds
900V
Stile di Case del Transistor
modulo
Tensione di test di Rds(on)
15V
Dissipazione di potenza
352W
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.09
Tracciabilità del prodotto