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NVMFWS2D3N04XM
MOSFET di potenza, capacità PPAP, canale N, 40 V, 121 A, 0.00235 ohm, WDFN
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNVMFWS2D3N04XM
Codice Prodotto4472912RL
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds40V
Corrente Continua di Drain Id121A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.00235ohm
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3.5V
Dissipazione di potenza63W
Numero di pin5Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
40V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.00235ohm
Tensione di soglia Gate-Source massima
3.5V
Numero di pin
5Pin
Corrente Continua di Drain Id
121A
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
63W
Temperatura di esercizio max
175°C
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:In attesa di conferma
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00001
Tracciabilità del prodotto