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NVMFWS2D3N04XM
MOSFET di potenza, capacità PPAP, canale N, 40 V, 121 A, 0.00235 ohm, WDFN
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNVMFWS2D3N04XM
Codice Prodotto4472912
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds40V
Corrente Continua di Drain Id121A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.00235ohm
Stile di Case del TransistorWDFN
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3.5V
Dissipazione di potenza63W
Numero di pin5Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
121A
Stile di Case del Transistor
WDFN
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
63W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Tensione Drain Source Vds
40V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.00235ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3.5V
Numero di pin
5Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:In attesa di conferma
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:In attesa di conferma
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
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