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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNTMFSC1D6N06CL
Codice Prodotto3265482RL
Gamma ProdottiDUAL COOL
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Polarità Transistorcanale N
Tensione Drain Source Vds60V
Corrente Continua di Drain Id235A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0015ohm
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.00125ohm
Stile di Case del TransistorDFN
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2V
Dissipazione di potenza166W
Dissipazione di Potenza Pd166W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiDUAL COOL
Qualificazioni-
Standard di Qualifica Automotive-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
NTMFSC1D6N06CL is a dual COOL N-channel MOSFET. Typical application includes o-ring FET/load switching, synchronous rectifier, DC to DC conversion.
- Ultra low RDS(on)
- 60V maximum drain to source breakdown voltage (VGS = 0V, ID = 250µA)
- 10µA maximum zero gate voltage drain current (TJ = 25°C, VGS = 0V, VDS = 60V)
- 1.25mohm typical drain to source on resistance (VGS = 10V, ID = 50A, TJ = 25°C)
- 6660pF typical input capacitance (VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = 25V)
- 2ohm typical gate resistance (TA = 25°C)
- 14.5ns typical turn on delay time (VGS = 10V, VDS = 48V, ID = 50A, RG = 1ohm)
- 55.6ns typical rise time (VGS = 10V, VDS = 48V, ID = 50A, RG = 1ohm)
- 14.1ns typical fall time (VGS = 10V, VDS = 48V, ID = 50A, RG = 1ohm)
- DFN8 package, operating junction and storage temperature range from -55 to +175°C
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
60V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0015ohm
Stile di Case del Transistor
DFN
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
166W
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
DUAL COOL
Standard di Qualifica Automotive
-
Polarità Transistor
canale N
Corrente Continua di Drain Id
235A
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.00125ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2V
Dissipazione di Potenza Pd
166W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00001
Tracciabilità del prodotto