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NTMFS5C410NT1G
MOSFET di potenza, canale N, 40 V, 300 A, 760 µohm, DFN, montaggio superficiale (SMT)
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| Quantità | |
|---|---|
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNTMFS5C410NT1G
Codice Prodotto2677177RL
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds40V
Corrente Continua di Drain Id300A
Resistenza Drain-Source in conduzione760µohm
Stile di Case del TransistorDFN
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3.5V
Dissipazione di potenza166W
Numero di pin5Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
NTMFS5C410NT1G is a single, N-channel MOSFET.
- Low RDS(on) to minimize conduction losses
- Low QG and capacitance to minimize driver losses
- Drain-to-source breakdown voltage is 40V minimum at (VGS = 0V, ID = 250µA)
- Gate-to-source leakage current is 100nA maximum at (VDS = 0V, VGS = 20V)
- Threshold temperature coefficient is -8.6mV/°C typical at (TJ = 25°C)
- Input capacitance is 6100pF typical at (VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = 25V)
- Turn-on delay time is 54ns typical at (VGS = 10V, VDS = 32V, ID = 50A, RG = 2.5 ohm)
- Rise time is 162ns typical at (VGS = 10V, VDS = 32V, ID = 50A, RG = 2.5 ohm)
- Operating temperature range from -55°C to +175°C
- DFN5 package
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
300A
Stile di Case del Transistor
DFN
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
166W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tensione Drain Source Vds
40V
Resistenza Drain-Source in conduzione
760µohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3.5V
Numero di pin
5Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0002
Tracciabilità del prodotto