Stampa pagina
NTGD1100LT1G
MOSFET dual-gate, canale N e P complementare, 8 V, 8 V, 0.04 ohm
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNTGD1100LT1G
Codice Prodotto2630398
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale N8V
Tensione drain-source (Vds) canale P8V
Corrente di drain continua (Id) canale N-
Corrente di drain continua (Id) canale P-
Resistenza RdsON canale N0.04ohm
Resistenza RdsON canale P0.04ohm
Stile di Case del TransistorTSOP
Numero di pin6Pin
Dissipazione di potenza canale N830mW
Dissipazione di potenza canale P830mW
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (10-Jun-2022)
Panoramica del prodotto
Avvertenze
La forte domanda di mercato ha causato un'estensione dei tempi di spedizione. Le date di consegna potrebbero variare. Articolo esente da sconti.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N e P complementare
Tensione drain-source (Vds) canale P
8V
Corrente di drain continua (Id) canale P
-
Resistenza RdsON canale P
0.04ohm
Numero di pin
6Pin
Dissipazione di potenza canale P
830mW
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
8V
Corrente di drain continua (Id) canale N
-
Resistenza RdsON canale N
0.04ohm
Stile di Case del Transistor
TSOP
Dissipazione di potenza canale N
830mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (10-Jun-2022)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (10-Jun-2022)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000081
Tracciabilità del prodotto