Stampa pagina
FDMD8560L
MOSFET dual-gate, PowerTrench, canale N, 60 V, 93 A, 0.0025 ohm
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFDMD8560L
Codice Prodotto2610668
Gamma ProdottiPowerTrench Series
Datasheet tecnico
4 367 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
A disposizione fino ad esaurimento scorte
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 3,750 |
| 10+ | € 2,610 |
| 100+ | € 1,930 |
| 500+ | € 1,570 |
| 1000+ | € 1,540 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 1
Più: 1
€ 3,75 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFDMD8560L
Codice Prodotto2610668
Gamma ProdottiPowerTrench Series
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione drain-source (Vds) canale N60V
Tensione drain-source (Vds) canale P-
Corrente di drain continua (Id) canale N93A
Corrente di drain continua (Id) canale P-
Resistenza RdsON canale N0.0025ohm
Resistenza RdsON canale P-
Stile di Case del TransistorPQFN
Numero di pin8Pin
Dissipazione di potenza canale N48W
Dissipazione di potenza canale P-
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiPowerTrench Series
Qualificazioni-
Panoramica del prodotto
FDMD8560L is a dual N-channel PowerTrench® MOSFET. HS source and LS drain internally connected for half/full bridge, low source inductance package, low rDS(on)/Qg FOM silicon. Application includes synchronous buck primary switch of half / full bridge converter for telecom, motor bridge primary switch of half / full bridge converter for BLDC motor, MV POL 48V synchronous buck switch, and half/full bridge secondary synchronous rectification.
- Ideal for flexible layout in primary side of bridge topology
- 100% UIL tested, kelvin high side MOSFET drive Pin-out capability
- Static drain to source on resistance is 2.5mohm (typ, VGS = 10V, ID = 22A, Q1)
- Drain to source voltage is 60V (Q1, Q2, typ, TA = 25°C)
- Gate to source threshold voltage is 1.0V (typ, Q1, Q2, VGS = VDS, ID = 250µA)
- Power dissipation is 48W (typ, Q1, Q2, TC = 25°C)
- Rise time is 15ns (typ, Q1, Q2, VDD = 30V, ID = 22A, VGS = 10V, RGEN = 6ohm)
- Reverse recovery time is 53ns (Q1, Q2, IF = 22A, di/dt = 100A/μs, typ)
- Operating and storage junction temperature range from -55 to +150°C, power 5 x 6 package
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
-
Corrente di drain continua (Id) canale P
-
Resistenza RdsON canale P
-
Numero di pin
8Pin
Dissipazione di potenza canale P
-
Gamma di prodotti
PowerTrench Series
Tensione drain-source (Vds) canale N
60V
Corrente di drain continua (Id) canale N
93A
Resistenza RdsON canale N
0.0025ohm
Stile di Case del Transistor
PQFN
Dissipazione di potenza canale N
48W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Documenti tecnici (2)
Prodotti associati
3 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000254
Tracciabilità del prodotto