Stampa pagina
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
50 185 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
A disposizione fino ad esaurimento scorte
Quantità | |
---|---|
5+ | € 0,419 |
10+ | € 0,317 |
100+ | € 0,197 |
500+ | € 0,125 |
1000+ | € 0,101 |
5000+ | € 0,0858 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 5
Più: 5
€ 2,09 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFDG6317NZ
Codice Prodotto2453407
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione drain-source (Vds) canale N20V
Tensione drain-source (Vds) canale P20V
Corrente di drain continua (Id) canale N700mA
Corrente di drain continua (Id) canale P700mA
Resistenza RdsON canale N0.3ohm
Resistenza RdsON canale P0.3ohm
Stile di Case del TransistorSC-70
Numero di pin6Pin
Dissipazione di potenza canale N300mW
Dissipazione di potenza canale P300mW
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Alternative per FDG6317NZ
1 prodotto trovato
Panoramica del prodotto
The FDG6317NZ is a PowerTrench® dual N-channel MOSFET designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized use in small switching regulators, providing an extremely low RDS (ON) and gate charge (QG) in a small package.
- Low gate charge
- Gate-source Zener for ESD ruggedness (1.6kV human body model)
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Compact industry standard surface-mount package
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
20V
Corrente di drain continua (Id) canale P
700mA
Resistenza RdsON canale P
0.3ohm
Numero di pin
6Pin
Dissipazione di potenza canale P
300mW
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
20V
Corrente di drain continua (Id) canale N
700mA
Resistenza RdsON canale N
0.3ohm
Stile di Case del Transistor
SC-70
Dissipazione di potenza canale N
300mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documenti tecnici (4)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001035
Tracciabilità del prodotto