Stampa pagina
FDC6327C
MOSFET dual-gate, canale N e P, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFDC6327C
Codice Prodotto9844856RL
Gamma ProdottiPowerTrench Series
Datasheet tecnico
4 389 A Stock
9 000 Puoi prenotare le disponibilità ora
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 0,502 |
| 500+ | € 0,403 |
| 1500+ | € 0,357 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 5
€ 55,20 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFDC6327C
Codice Prodotto9844856RL
Gamma ProdottiPowerTrench Series
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N e P
Tensione drain-source (Vds) canale N20V
Tensione drain-source (Vds) canale P20V
Corrente di drain continua (Id) canale N2.7A
Corrente di drain continua (Id) canale P1.9A
Resistenza RdsON canale N0.08ohm
Resistenza RdsON canale P0.17ohm
Stile di Case del TransistorSuperSOT
Numero di pin6Pin
Dissipazione di potenza canale N960mW
Dissipazione di potenza canale P960mW
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiPowerTrench Series
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
The FDC6327C is a dual N/P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. This device has been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the bigger more expensive packages are impractical. It is suitable for use with load switch and DC-to-DC converter applications.
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Small footprint
- Low profile
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N e P
Tensione drain-source (Vds) canale P
20V
Corrente di drain continua (Id) canale P
1.9A
Resistenza RdsON canale P
0.17ohm
Numero di pin
6Pin
Dissipazione di potenza canale P
960mW
Gamma di prodotti
PowerTrench Series
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
20V
Corrente di drain continua (Id) canale N
2.7A
Resistenza RdsON canale N
0.08ohm
Stile di Case del Transistor
SuperSOT
Dissipazione di potenza canale N
960mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Prodotti associati
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000049
Tracciabilità del prodotto