Stampa pagina
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
12 330 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
Quantità | |
---|---|
100+ | € 0,346 |
500+ | € 0,264 |
1500+ | € 0,236 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 5
€ 39,60 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFDC6321C
Codice Prodotto9844848RL
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N e P
Tensione drain-source (Vds) canale N25V
Tensione drain-source (Vds) canale P25V
Corrente di drain continua (Id) canale N680mA
Corrente di drain continua (Id) canale P460mA
Resistenza RdsON canale N0.45ohm
Resistenza RdsON canale P1.1ohm
Stile di Case del TransistorSuperSOT
Numero di pin6Pin
Dissipazione di potenza canale N900mW
Dissipazione di potenza canale P900mW
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
The FDC6321C is a dual N/P-channel Digital FET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. The device is an improved design especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors in load switching applications. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several digital transistors with difference bias resistors.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
- Gate-source Zener for ESD ruggedness
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N e P
Tensione drain-source (Vds) canale P
25V
Corrente di drain continua (Id) canale P
460mA
Resistenza RdsON canale P
1.1ohm
Numero di pin
6Pin
Dissipazione di potenza canale P
900mW
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tensione drain-source (Vds) canale N
25V
Corrente di drain continua (Id) canale N
680mA
Resistenza RdsON canale N
0.45ohm
Stile di Case del Transistor
SuperSOT
Dissipazione di potenza canale N
900mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Prodotti associati
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000113
Tracciabilità del prodotto