FDC6306P
MOSFET dual-gate, canale P, 20 V, 1.9 A
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| Quantità | |
|---|---|
| 3000+ | € 0,202 |
| 9000+ | € 0,188 |
Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
FDC6306P è un MOSFET a canale P doppio prodotto usando l’avanzato processo PowerTrench®. Questo prodotto è stato progettato appositamente per ridurre al minimo la resistenza in stato ON e mantenere allo stesso tempo una bassa carica di gate, per una performance di commutazione superiore. il dispositivo è stato pensato per offrire una dissipazione di potenza eccezionale in un footprint molto piccolo, per applicazioni dove i package più grandi e più costosi sono poco funzionali. È adatto per l’utilizzo nella commutazione dei carichi e nelle applicazioni di protezione delle batterie.
- Bassa carica di gate
- Velocità di commutazione rapida
- Tecnologia Trench ad alte prestazioni per RDS (ON) estremamente bassa
- Footprint ridotto
- Basso profilo
Avvertenze
La domanda del mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna, le date di consegna possono variare.
Specifiche tecniche
canale P
20V
1.9A
0.17ohm
6Pin
960mW
PowerTrench Series
MSL 1 - Non Limitata
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SuperSOT
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150°C
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No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto